实现 MMIO，LED 显示从 ecall 改为内存映射存储

cpu21_mmio.v（新增）
- 在 MEM 级做地址译码，把外设寄存器映射进数据地址空间；目前实现 LED 数据
  寄存器（地址由顶层 parameter LED_ADDR 指定，默认 0x0000_1000，位于 4 KB
  数据 RAM 之外，不会与 RAM 冲突）；
- 地址译码按“字”对齐：同一 32 位寄存器内任意字节偏移都算命中，具体修改
  哪几个字节由 wstrb 决定，因此 sw 写全字、sb 只写单字节（与 RAM 字节写
  语义一致）；
- 读命中时由顶层用 rdata_o 取代 data_rdata_i，从而支持把 LED 值读回；
- led_valid_o 在写入后拉高一拍，作为“本周期有 LED 写入”的指示。

cpu21_riscv_redirect_int_bpb.v
- 顶层参数新增 LED_ADDR；例化 cpu21_mmio 并新增访存读数据选择
  mem_rdata = mmio_rdata_hit ? mmio_rdata : data_rdata_i（MEM/WB 捕获用它）；
- 删除 ecall 驱动的 LED 逻辑（原 ex_led_event 与 led_data_q/led_valid_q 寄存器
  移入 MMIO 模块），LED 输出端口改由 cpu21_mmio 驱动；
- ecall 保留停机语义：a7==34 的历史“显示”调用保留为无操作，其余（如 a7=10）
  仍置 halted_o。

测试资产
- tools/rv_asm.py：print 伪指令改为“lui t6,LED_ADDR>>12 + sw a0,0(t6)”（写 MMIO
  LED 寄存器，仍需两个字）；新增 sb 支持；文末说明同步更新；
- testbench/programs/mmio_test.asm + mmio_test.expected（新增）：覆盖全字写、
  读回、字节写三种情况；
- isa_test.asm / lui_test.asm 迁移到 MMIO 输出方式；
- 两个 testbench 的 RAM 模型处注明 MMIO 区域不属于 RAM。

验证（xsim，按提交后的正式路径生成 hex）
- mmio_test：4 项输出全部匹配（12345678 / 12345678 / ffffffff / ffff7fff，
  最后一项为 sb 覆盖 led[15:8] 后读回）；
- isa_test：24 项输出与 isa_test.expected 逐项一致；lui_test：4 项输出正确；
- 中断测试程序回归：IRQ1@cyc85、IRQ2@cyc266、IRQ3@cyc447 与改动前一致，
  FINAL 统计完全一致（stalls=11 bubbles=297 cond_taken=648 pred_ok=663
  pred_fail=102，6003 周期）；
- benchmark 长仿真回归：FINAL 统计与改动前完全一致（stalls=3195 bubbles=6955
  cond_taken=8857 pred_ok=9455 pred_fail=1050，60000 周期），且 LED 输出次数为 0，
  确认 ecall 已不再驱动 LED；
- cpu21_mmio.v 已加入 Vivado 工程 sources_1。

testbench/programs/mmio_test.expected

@@ -0,0 +1,4 @@
+12345678
+12345678
+ffffffff
+ffff7fff